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新型存储器与传统存储器介质特性对比

供稿: 2020/4/24 15:58:14

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  • 摘要:目前新型存储器上受到广泛关注的新型存储器主要有相变存储器(PCM),其中有以英特尔与美光联合研发的3DXpoint为代表;MRAM以美国Everspin公司推出的STT-MRAM为代表。

目前新型存储器上受到广泛关注的新型存储器主要有相变存储器(PCM),其中有以英特尔与美光联合研发的3D Xpoint为代表;MRAM以美国Everspin公司推出的STT-MRAM为代表;阻变存储器ReRAM,目前暂无商用产品,其代表公司是美国的Crossbar。
 
上述新型存储器已被研究了近数十年,只是相对于早已产业化的随机存储sram、DRAM存储器、和NAND Flash,还未能大规模商用。存储器产业未来的技术发展方向仍是未知数。
 
在非易失性MRAM存储器方面,Everspin MRAM已经有产品应用于航空航天等特定领域,并于2019年开始与格芯合作,试生产28nm制程的1Gb STT-MRAM产品。ReRAM存储器仍然尚未商用,初创公司如Crossbar则正致力于其产业化的进程。
 
当前的新型存储器尚不具备替代DRAM芯片或Nand闪存的能力,市场主要集中于低延迟存储与持久内存。分别比较3种存储的介质特性如下表所示。
 

 

配资金额表 新型存储及传统存储特性对比

 
MRAM具有最好的读写速率和使用寿命,从理论上有机会替代现在的内存芯片和外存,但是由于涉及量子隧穿效应,大规模制造难以保证均一性,存储容量和良率爬坡缓慢。在工艺取得进一步突破之前,宇芯电子代理的Everspin MRAM芯片的产品主要适用于容量要求低的特殊应用领域以及新兴的IoT嵌入式存储领域。
配资金额Everspin STT-MRAM  1Gb

DensityOrg.Part NumberSpeedTemp RatingPackagePack/Ship
1Gb--EMD4E001G08G2-150CAS2667MHzCommercial78-BGATray
1Gb--EMD4E001G08G2-150CAS2R667MHzCommercial78-BGATape & Reel
1Gb--EMD4E001G16G2-150CAS2667MHzCommercial96-BGATray
1Gb--EMD4E001G16G2-150CAS2R667MHzCommercial96-BGATape & Reel
1Gb128Mb x8EMD4E001G08G1-150CAS1667MHzCommercial78-BGATray
1Gb128Mb x8EMD4E001G08G1-150CAS1667MHzCommercial78-BGATape & Reel
1Gb64Mb x16EMD4E001G16G2-150CAS1667MHzCommercial96-BGATray
1Gb64Mb x16EMD4E001G16G2-150CAS1R667MHzCommercial96-BGATape & Reel

审核编辑(王静)
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